動作原理
その半導体特性、すなわち非オン・オフのスイッチング特性に基づいている。モジュール内部には、いくつかのIGBTチップユニットの並列構造が構築されている。直流電力がモジュールを通過すると、異なるスイッチの組み合わせによる高速オフにより、電流の流出方向と周波数が変化し、必要な交流電力が出力される。
構成と特徴
構成：IGBTモジュールはIGBTチップとFWDチップからなり、特定の回路ブリッジパッケージを介して構成されている。IGBTチップはMOSFET（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）とバイポーラトランジスタの特性を結合し、高効率、高速スイッチと大電流受容能力などの利点がある。
特徴：
1、省エネ：IGBTモジュールは比較的に高いエネルギー変換効率を有し、エネルギー消費を著しく低減することができる。
2、取り付け修理が便利：モジュール化設計によりIGBTモジュールの取り付けと修理がより便利になる。
3、放熱安定：先進的な放熱技術を採用し、モジュールが高温環境下でも安定して動作することを確保する。
4、絶縁性が強い：IGBT内殻は比較的に良い絶縁性能を持ち、電磁干渉とその他の電気問題を回避でき、システムの安全性を高めることができる
長所と短所
利点：
1、高効率：IGBTモジュールは低いオン抵抗を持ち、高効率の電力調節を実現できる。
2、高速スイッチ：IGBTモジュールは短時間でスイッチ操作を完了でき、高周波回路に適している。
3、大電流に耐える能力が強い：大きな電流と電圧に耐えることができ、高電力応用に適している。
4、熱伝導性が良い：IGBTモジュールは比較的に良い熱伝導性能を持ち、高温環境下で働くことができる。
短所：
1、充電時間が長い：IGBTモジュールの充電時間が長く、スイッチ速度に影響する可能性がある。
2、デッドゾーン問題：IGBTモジュールの回路において、ボディダイオードの存在により、デッドゾーン問題が存在し、スイッチング中の電流変動を引き起こす可能性がある。
3、温度変化に敏感：IGBTモジュールの性能は環境温度変化の影響を受けやすい。
コストが高い：IGBTモジュールは高性能なデバイスであるため、コストが比較的高い。