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メール
1316056746@qq.com
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電話番号
15010040708
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アドレス
北京市朝陽区中東路398号
製品カテゴリー
北京京誠宏泰科技有限公司
概要
英飛凌IGBTモジュールFZ 2400 R 17 KF 4$r$n北京京誠宏泰科技有限公司はIGBTモジュールを販売している、制御可能なシリコンモジュール、サイリスタダイオードモジュール、整流ブリッジモジュールPLCモジュール、容量、インバータスペア$r$n 1700 V IGBTインフェロイックFZ 1500 R 33 HL 3 _ S 2
製品詳細
英飛凌IGBTモジュールFZ 2400 R 17 KF 4
北京京誠宏泰科技有限公司は英飛凌IGBTモジュールを販売している、制御可能なシリコンモジュール、整流ブリッジモジュールダイオードモジュール、サイリスタ制御可能なシリコン、容量、電源、ファン、センサー、IPMモジュール、半導体パワーモジュール、インバータ部品、駆動板、制御板、CUVC板
シーメンスコンバータIGBTモジュールFZ 2400 R 17 KF 4
製品パラメータ：
IHM B 1700 V 2400 A 190 mmシングルスイッチIGBTモジュール、第4世代トレンチゲート/フィールド終端IGBTを備え、
IHV B 3300 V1000 A 130 mmシングルスイッチIGBTモジュール、第3世代TRENCHSTOPを持つ™ IGBT、低スイッチング損失とエミッタ制御ダイオード——牽引と工業応用に適したソリューション
3300 V IGBTモジュールモデル：
FZ1000R33HL3_S2型
FZ1500R33HL3_S2型
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBTモジュールFZ 1000 R 33 HL 3
IGBTモジュールFZ 1000 R 33 HE 3
IGBTモジュールFZ 1200 R 33 HE 3
IGBTモジュールFZ 1500 R 33 HE 3
IGBTモジュールFZ 1500 R 33 HL 3
IGBTモジュールFZ 1600 R 33 HE 4
IGBTモジュールFZ 1400 R 33 HE 4
IGBTモジュールFZ 2400 R 33 HE 4
IGBTモジュールFF 450 R 33 T 3 E 3
IGBTモジュールFZ 825 R 33 HE 4 D
IGBTデバイスの動作接合温度Tvjをどのように計算しますか。
ChatGPTは次のように述べています。
IGBTデバイスの動作接合温度Tを計算するにはvj、次の要素を考慮する必要があります。
1 |
IGBTチップの電力損失。この値はIGBTチップメーカが提供するdatasheetで調べることができる。一般的に、電力損失が大きいほど、動作接合温度が高くなります。 |
2 |
IGBTチップの実装方式。異なるパッケージ方式は放熱効率に影響を与える。一般に、背面にヒートシンクを備えたパッケージ方式のほうが放熱効果が高い。 |
3 |
外部放熱器の放熱能力。外部ヒートシンクの放熱能力は、動作接合温度にも影響します。ヒートシンクの大きさ、材料、通気状況は、ヒートシンク効果に影響します。 |
以上を考慮すると、IGBT素子の動作接合温度Tを以下の式を用いて計算することができるvj：
Tvj= Ta+ Pd※RTHJC
ただし、Taは周囲温度、PdIGBTチップの電力損失であり、RTHJCチップとヒートシンクの結合部の熱抵抗である。
なお、この式はIGBTチップ自体の放熱状況のみを考慮したものであり、システム全体の放熱能力は考慮されていない。したがって、実際の用途においては、IGBTデバイスの動作接合温度を決定するために、具体的なシステム状況と組み合わせる必要がある。
1700 V IGBTモジュールモデル：
FZ1800R17KF4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
FZ1200R17KF4
FZ1200R17HE4
| FZ1200R17HP4_B2 FZ1600R17HP4_B2 FZ1600R17HP4_B21 FZ1800R17HP4_B29型 FZ2400R17HP4_B2 FZ2400R17HP4_B28 FZ2400R17HP4_B29 FZ3600R17HP4_B2 |
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FZ1200R17HP4型 FZ1600R17HP4型 FZ1800R17HP4_B9型 FZ2400R17HP4 FZ2400R17HP4_B9型 FZ3600R17HP4 IGBT4高速（IHM B）1) FZ1200R17HE4 FZ1800R17HE4_B9型 FZ2400R17HE4_B9型 FZ3600R17HE4 |
フィーチャーの説明
製品仕様：
IGBTタイプ：トレンチ型フィールドカットオフ
構成：ハーフブリッジ
電圧-コレクタ破壊：1700 V
電流-コレクタ（Ic）：2400 A
電流-コレクタオフ：100µA
異なるVce時入力容量（Cies）：122 nF@25 V
入力：標準
NTCサーミスタ：なし
動作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
取付タイプ：ベース取付
パッケージ/シェル：モジュール
ベンダーデバイスパッケージ：AG-62 MM
製品特徴：
高出力密度
のVCE，SAT
Tvj op=175°C過負荷
高い沿面距離と電気ギャップ
RoHS規格準拠
4 kV AC 1分間絶縁
CTI>400のパッケージ
UL 1557 E 83336によるUL/CSA認証の取得
TRENCHSTOP™ IGBT 7ウェハ
改良されたEconoDUAL™ 3パッケージ
225、750、900A，1700Vハーフブリッジモジュール
のダイオード、750A IGBT1200セットAダイオード（ダイオードのみFF750R17ME7D_B11）
過負荷の場合、動作接合温度は175°に達することができるC
圧着式制御ピン
英飛凌IGBTモジュールFZ 2400 R 17 KF 4
利点：
高電流能力を有する既存のパッケージは、同じフレームサイズでインバータ出力電力を増加させることができる
高出力密度
IGBTモジュールの並列接続を回避する
インバータシステムの簡素化によるシステムコストの低減
柔軟性
高い信頼性
製品応用分野：
無停止電源（UPS）
エネルギー貯蔵システム
モータ制御と駆動
商用、建築、農業用車両（CAV）
インバータ
北京京誠宏泰科技有限公司はルート、流通、販売、直販及びOEMモデルを一体化した電力電子半導体販売及び電力電子業界ソリューションの産業チェーンサプライヤーである。
国内外ブランドの電力電子半導体装置、インバータ、インバータ部品、アルミニウム電解コンデンサ、パワーモジュールを販売する、主にドイツInfineonの英飛凌、EUPEC優派克、
SIEMENSシーメンス、シーメンス康Semicron、IXYSアイセッツ、AEG、Vishay、danfossデンフォス、TYCOタイコ、DYNEXダニックス、Vacon偉ケン、ミツビシ三菱、
Fuji富士、Fairchildフェムトメガ半導体、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三ケン、POWEREX,インダーNIEC、米国IR、スイスABB、POWERSEM、ネルニエル、ヤスカワ安川、
英国シーマ、スペインCATELECなどが生産するIGBT、IGCT、IPM、PIM、制御可能なシリコンサイリスタ、GTO、GTRダーリントン、整流ブリッジ、ダイオード、電界効果モジュール、日本富士（FUJI）、
日之出（HINODE）、仏ローランド（FERRAZ）、英GOULD、米BUSMANNクイックヒューズ、KEMET，イタリアのArcotronics（AV）、
Itelcond,イタリアFACON、ドイツのイケギELECTRONICON、フランスのトムソンTPC、日本の日立、黒金剛NIPPON chemi-con、ニジコンニチコン、
ルビー、epcosエプコット、スウェーデンRIFA力発、英国BHC、BHC Aerovox電解容量及び米国CDE無感容量、スイスCONCEPT IGBT駆動、光結合、インバータマスターボード、駆動ボード、電源ボード、通信ボード、インタフェースボード
オペレータパネル
英飛凌IGBTモジュールFZ 1600 R 12 KF 4-S 1
IGBTとは何ですか。
IGBTすなわち絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、BJT（バイポーラ型トランジスタ）とMOS（絶縁ゲート型電界効果管）からなる複合フル制御型電圧駆動型パワー半導体装置であり、MOSFETの高入力インピーダンスとGTRの低オン電圧降下の両方の利点を兼ね備えている。GTR飽和圧は低下し、キャリア密度は大きいが、駆動電流は大きい、MOSFETの駆動電力は小さく、スイッチング速度は速いが、オン圧の低下は大きく、キャリア密度は小さい。IGBTは以上の2つのデバイスの利点を統合し、駆動電力が小さく飽和圧が低下する。直流電圧600 V以上の可変電流システム、例えば交流モータ、インバータ、スイッチング電源、照明回路、トラクションドライブなどの分野に応用するのに最適である。
IGBTとMOSFETの比較
MOSFETフルネームパワー電界効果トランジスタ。その3つの極はそれぞれソース（S）、ドレイン（D）、ゲート（G）である。
長所：熱安定性が良く、安全作業区が大きい。
欠点：破壊電圧が低く、動作電流が小さい。北京京誠宏泰科技有限公司IGBTモジュールFZ 2400 R 17 KF 4
IGBTフルネーム絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、MOSFETとGTR（パワートランジスタ）を結合したものである。その3つの極はそれぞれコレクタ（C）、エミッタ（E）、ゲート（G）である。
特徴：破壊電圧は1200 Vに達することができ、コレクタ飽和電流は1500 Aを超えた。IGBTをインバータ装置とするインバータの容量は250 kVA以上に達し、動作周波数は20 kHzに達することができる。
IGBTの典型的な応用
でんどうき
無停止電源
ソーラーパネルの取り付け
溶接機
電源変換器とインバータ
インダクタンス充電器
IHクッキングヒーター
第7世代IGBTモデル：
FF900R12ME7P_ B11
FF450R12ME7_ B11
FF900R12ME7W_ B11
FF900R12ME7_ B11
FF600R12ME7_ B11
FF800R12KE7型
FF300R12ME7_ B11
FF750R12ME7_ B11
FF750R17ME7D_ B11
FF225R17ME7_ B11
FF1800R23IE7P
FF1800R23IE7型
FF2400RB12IP7P
FF2400RB12IP7型
