シーメンスIGBTエネルギーカード6 SL 39120 AM 360 AA 0

シーメンスIGBTエネルギーカード6 SL 39120 AM 360 AA 0

GM 150 GL 150インバータ部品

北京京誠宏泰科技有限公司は英飛凌IGBTモジュールを販売している、制御可能なシリコンモジュール、整流ブリッジモジュールダイオードモジュール、サイリスタ制御可能なシリコン、容量、電源、ファン、センサー、IPMモジュール、半導体パワーモジュール、インバータ部品、駆動板、制御板、CUVC板

GM 150シーメンスIGBTエネルギーカード6 SL 391200 AM 360 AA 0

6SL3912-5AP36-0AA0（6SL39125AP360AA0）

IGBTパワーカードFZ1200の一組;シナミックスGM150/SM150（IGBT）のための水冷 4.16KV MAX 800A

技術的エネルギー供給産業の正確な制御エネルギー——シーメンス6 SL 3912-5 AP 36-0 AA 0 IGBTエネルギーカード

コア競争力

• ドイツ精密技術：シーメンス元工場IGBTモジュールを採用し、R×1 KQ級抵抗検出によりゲート（G）識別精度を確保し、故障率は業界標準より30%低い

• マルチシーンアダプタ：SINAMICS GM 150/SM 150中圧インバータシステム（3.3-4.16 kV）をサポートし、風冷式設計は重工業の連続作業需要を満たす

• ちょうこうかあんてい：RoHS指令環境保護基準を満たし、20 Kgコンパクト構造で20000時間無停止運転記録を実現

応用事例
自動化された企業がモデルを採用した後：
•生産ラインの消費電力を18%削減
•設備メンテナンスサイクルを2.5倍に延長
•6 SL 3912-0 AP 36-AAA 0などのシリーズモジュールと互換性があり、柔軟な拡張を実現

サービス保障

• 北京現物供給（最小発注量1件）

• マルチメーター検査技術指導及び72時間応急応答を提供する

• 3年間の保証期間内の無償交換サービス

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6SY8102-0LB01型
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6SY8102-0LC01
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6SY8102-0LD01

製品パラメータ：

IHM B 1700 V 2400 A 190 mmシングルスイッチIGBTモジュール、第4世代トレンチゲート/フィールド終端IGBTを備え、

IHV B 3300 V1000 A 130 mmシングルスイッチIGBTモジュール、第3世代TRENCHSTOPを持つ™ IGBT、低スイッチング損失とエミッタ制御ダイオード——牽引と工業応用に適したソリューション

3300 V IGBTモジュールモデル：

FZ1000R33HL3_S2型
FZ1500R33HL3_S2型
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBTモジュールFZ 1000 R 33 HL 3
IGBTモジュールFZ 1000 R 33 HE 3
IGBTモジュールFZ 1200 R 33 HE 3
IGBTモジュールFZ 1500 R 33 HE 3
IGBTモジュールFZ 1500 R 33 HL 3
IGBTモジュールFZ 1600 R 33 HE 4
IGBTモジュールFZ 1400 R 33 HE 4
IGBTモジュールFZ 2400 R 33 HE 4
IGBTモジュールFF 450 R 33 T 3 E 3
IGBTモジュールFZ 825 R 33 HE 4 D

フィーチャーの説明

製品仕様：

IGBTタイプ：トレンチ型フィールドカットオフ

構成：ハーフブリッジ

電圧-コレクタ破壊：1700 V

電流-コレクタ（Ic）：2400 A

電流-コレクタオフ：100µA

異なるVce時入力容量（Cies）：122 nF@25 V

入力：標準

NTCサーミスタ：なし

動作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

取付タイプ：ベース取付

パッケージ/シェル：モジュール

ベンダーデバイスパッケージ：AG-62 MM

製品特徴：

高出力密度

のVCE，SAT

Tvj op=175°C過負荷

高い沿面距離と電気ギャップ

RoHS規格準拠

4 kV AC 1分間絶縁

CTI>400のパッケージ

UL 1557 E 83336によるUL/CSA認証の取得

TRENCHSTOP™ IGBT 7ウェハ

改良されたEconoDUAL™ 3パッケージ

225、750、900A，1700Vハーフブリッジモジュール

のダイオード、750A IGBT1200セットAダイオード（ダイオードのみFF750R17ME7D_B11）

過負荷の場合、動作接合温度は175°に達することができるC

圧着式制御ピン

IGBTモジュール6 SL 39125 AP 360 AA 0

利点：

高電流能力を有する既存のパッケージは、同じフレームサイズでインバータ出力電力を増加させることができる

高出力密度

IGBTモジュールの並列接続を回避する

インバータシステムの簡素化によるシステムコストの低減

柔軟性

高い信頼性

製品応用分野：

無停止電源（UPS）

エネルギー貯蔵システム

モータ制御と駆動

商用、建築、農業用車両（CAV）

インバータ

北京京誠宏泰科技有限公司はルート、流通、販売、直販及びOEMモデルを一体化した電力電子半導体販売及び電力電子業界ソリューションの産業チェーンサプライヤーである。

国内外ブランドの電力電子半導体装置、インバータ、インバータ部品、アルミニウム電解コンデンサ、パワーモジュールを販売する、主にドイツInfineonの英飛凌、EUPEC優派克、

SIEMENSシーメンス、シーメンス康Semicron、IXYSアイセッツ、AEG、Vishay、danfossデンフォス、TYCOタイコ、DYNEXダニックス、Vacon偉ケン、ミツビシ三菱、

Fuji富士、Fairchildフェムトメガ半導体、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三ケン、POWEREX,インダーNIEC、米国IR、スイスABB、POWERSEM、ネルニエル、ヤスカワ安川、

英国シーマ、スペインCATELECなどが生産するIGBT、IGCT、IPM、PIM、制御可能なシリコンサイリスタ、GTO、GTRダーリントン、整流ブリッジ、ダイオード、電界効果モジュール、日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、仏ローランド（FERRAZ）、英GOULD、米BUSMANNクイックヒューズ、KEMET，イタリアのArcotronics（AV）、

Itelcond,イタリアFACON、ドイツのイケギELECTRONICON、フランスのトムソンTPC、日本の日立、黒金剛NIPPON chemi-con、ニジコンニチコン、

ルビー、epcosエプコット、スウェーデンRIFA力発、英国BHC、BHC Aerovox電解容量及び米国CDE無感容量、スイスCONCEPT IGBT駆動、光結合、インバータマスターボード、駆動ボード、電源ボード、通信ボード、インタフェースボード

オペレータパネル

IGBTモジュール6 SL 39125 AP 360 AA 0

IGBTとは何ですか。

IGBTすなわち絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、BJT（バイポーラ型トランジスタ）とMOS（絶縁ゲート型電界効果管）からなる複合フル制御型電圧駆動型パワー半導体装置であり、MOSFETの高入力インピーダンスとGTRの低オン電圧降下の両方の利点を兼ね備えている。GTR飽和圧は低下し、キャリア密度は大きいが、駆動電流は大きい、MOSFETの駆動電力は小さく、スイッチング速度は速いが、オン圧の低下は大きく、キャリア密度は小さい。IGBTは以上の2つのデバイスの利点を統合し、駆動電力が小さく飽和圧が低下する。直流電圧600 V以上の可変電流システム、例えば交流モータ、インバータ、スイッチング電源、照明回路、トラクションドライブなどの分野に応用するのに最適である。

IGBTとMOSFETの比較

MOSFETフルネームパワー電界効果トランジスタ。その3つの極はそれぞれソース（S）、ドレイン（D）、ゲート（G）である。

長所：熱安定性が良く、安全作業区が大きい。

欠点：破壊電圧が低く、動作電流が小さい。北京京誠宏泰科技有限公司シーメンスIGBTエネルギーカード6 SL 39120 AM 360 AA 0

IGBTフルネーム絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、MOSFETとGTR（パワートランジスタ）を結合したものである。その3つの極はそれぞれコレクタ（C）、エミッタ（E）、ゲート（G）である。

特徴：破壊電圧は1200 Vに達することができ、コレクタ飽和電流は1500 Aを超えた。IGBTをインバータ装置とするインバータの容量は250 kVA以上に達し、動作周波数は20 kHzに達することができる。

IGBTの典型的な応用

でんどうき

無停止電源

ソーラーパネルの取り付け

溶接機

電源変換器とインバータ

インダクタンス充電器

IHクッキングヒーター