供給IGCTモジュール3 BHB 020538 R 0001

供給IGCTモジュール3 BHB 020538 R 0001

集積ゲート極転流サイリスタ-IGCT 3 BHB 020538 R 0001

北京京誠宏泰科技有限公司販売供給IGCTモジュール3 BHB 020538 R 0001

5SHX1060H0003

5SHX10H6004

5SHX10H6010

3BHL001863P0001

3BHL000396P0001

3BHB023302R0001型

3BHB023623R0001

3BHB030310R0001 5SHY4045L0006

3BHB030310R0001 4500V、91mm、5SHY 4045L0006:GCTモジュール

RC-IGCT 5SHX 1960L0006、91MM GVC736 3BHB016120R0002

KV C757 A124:IPS単一電圧24V 3BHE020959R0124

反対。パネルインターフ。接続板 NDPI-02 3BHL000764P0001

3BHB023235R0001

3BHB002000R0001型

3BHB013088R0001

製品概要

5 SHX 1060 H 0003はABB社製の逆導通集積ゲート整流サイリスタ（IGCT）モジュールである。IGCTは高出力半導体装置であり、高速スイッチ、高耐圧、大電流などの特徴を持ち、電力電子分野に広く応用されている。ABBのこのIGCTモジュールは、サイリスタと整流器の機能を結合し、交流電源上で一方向導電を実現し、制御信号の作用下で電流のスイッチング制御を実現する。

IGCT遮断電圧が高く、容量が大きく、オン状態損失が低く、信頼性が高いなどの利点があるため、工業用周波数変換速度調整、風力発電ネットワーク、軌道交通などの分野で広く応用されている。

会社は中圧伝動分野のACSシリーズインバータ及び風力発電分野のPCSシリーズインバータに対してIGCTをスイッチングデバイスとして採用し、

軌道交通電力供給のための交差型モジュール化マルチレベル変換器（MMC）試作機の開発に成功した、

IGBTに比べて、IGCTより低いオン電圧降下、より高い信頼性、およびより低い製造コストを有し、構造がコンパクトで、より高い電圧とオン電流を遮断する能力を有し、

高圧大容量応用におけるIGBTのパフォーマンスと性能の改善が期待されている。実際には、可撓性直流電力網では、交流電力網の応用に比べる、

MMC、直流変圧器や直流遮断器などのキーデバイスは、MMCのスイッチング周波数が非常に低い、

直流変圧器はソフトスイッチング能力、直流遮断器は1回の操作だけでよいなどがある。これらの特徴はIGCTスイッチの速度が遅いなどの技術的弱点をある程度弱めることになり、

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IGCT整流リンクではSCRと脈々と受け継がれており、SCRはSilicon Controlled Rectifierの略であり、制御可能なシリコン整流器であるの略称。制御可能シリコンには、単方向、双方向、オフ可能、光制御のいくつかのタイプがあります。それは体積が小さく、軽量で、効率が高く、寿命が長く、制御が便利であるなどの利点があり、制御整流、調圧、インバータ及び無接点スイッチに広く用いられているなどの各種自動制御と大電力の電気エネルギー変換の場合、単方向制御シリコンは制御可能な整流電子部品であり、外部制御信号の作用下でオフからオンに変化することができるただし、オンにすると外部信号をオフにすることはできず、負荷を除去するか、両端電圧を下げてオフにするしかありません。単方向制御可能シリコンは3つのPN接合PNPNからなる4層三端半導体装置であり、PN接合を持つダイオードに比べて、北京京誠宏泰科技有限公司の単方向制御可能シリコンの順方向導通は制御極電流によって制御される。2つのPN接合を持つの三極管と比べて、差は制御可能なシリコン対制御極電流拡大作用はありません。双方向サイリスタは、2方向に交互に導通、オフする特性がある。バイラテラルシリコン実質的には2つの逆並列の単方向サイリスタであり、NPNPN 5層半導体から4つのPN構造を形成し、3つの電極を有する半導体装置である。主電極の構造は対称的で（すべてN層から引き出す）、北京京誠宏泰科技有限公司はその電極を単方向サイリスタのようにそれぞれ陽極と陰極と呼ばず、制御極に近いものを第1電極A 1、もう1つを第2電極A 2と呼ぶ。双方向サイリスタの主な欠点は電圧上昇率に耐える能力が低いことである。これは、双方向サイリスタが一方向に導通終了すると、各層におけるシリコンウェハのキャリアまだ締め切りの位置に戻っていないので、相応の保護措置を取らなければならない。双方向制御可能なシリコン素子は主に温度制御、照明制御などの交流制御回路に用いられる、防爆交流スイッチ及び直流モータの調速と転向などの回路。制御可能なシリコンは電流を維持する以上ずっと開通状態にあり、北京京誠宏泰科学技術有限公司はオフ電流が高く、制御が難しく、オフ速度が遅い。インバータリンクでは、LCI（負荷位相変換インバータ）においてSCRは優れた表現を持ち、超大電力を実現でき、電圧が高く、電流も大きい。ダイオード（Diode、非制御整流素子）とSCR（半制御可能）整流はPMWを必要とせずに2象限周波数変換器の動作を満たすことができ、PWMはIGBT（フル制御）などの素子を必要とする。

北京京誠宏泰科技有限公司販売IGCTモジュール3 BHB 020538 R 0001

SKiiPシリーズインテリジェントパワーモジュールシステム内に統合された駆動ユニットは、次のような機能を有する。
*IGBT上下ブリッジアームデッドタイムインターロック機能
*短パルス抑制機能
*入力パルス波形整定機能
*入力信号クランプ機能
*内部電源の一次側不足電圧監視（SKiiP2/3）内部電源二次側非電圧モニタ（SKiiP3）
*暫定過電圧保護と極性反転保護
*過熱保護（空冷タイプはこの機能を備えている）
*短絡保護と過電流保護（電流センサとVcesatにより実現）
*Vcesat保護（SKiIP 3）
*直流母線電圧過電圧保護（オプション）

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SKiiP1803GB123-3DUK0299

SKiiP1813GB123-3DUK1080

SKiiP2403GB123-4DUK0262

SKiiP2413GB123-4DUK1070

SKiiP2403GB123-4DUK0381

1700V-IGBT 3（トレンチ）-SKIIP 3
SKIIP1013GB172-2DL V3
SKIIP1203GB172-2DW V3
スキープ1513GB172-3DL V3
SKiiP1513GB172-3DK0244
SKiiP1803GB172-3DW V3
SKiiP1803GB123-3DUK0299
SKiiP1803GB172-3DFK0368
SKiiP1813GB123-3DUK1080
SKiiP1813GB123-3DUK0382
SKiiP2403GB123-4DUK0381
SKiiP2413GB123-4DUK1070
SKiiP2403GB123-4DUK0262

IGCTモジュール3 BHB 020538 R 0001一般的な用途：

空調システム

再生可能エネルギー

牽引

エレベーター

こうぎょうくどう

SKiIPインテリジェントパワーモジュール技術の主な特徴は：

IGBTチップは分散式の分布を採用しているので、熱密度が小さい

銅フリー基板技術

ばね圧着技術

モジュール内部のブリッジアームユニットは平行に分布し、非常に低い浮遊インダクタンスを得る.

これらの技術的特徴により、SKiIPインテリジェントパワーモジュールシステムは、より小さな熱抵抗、より強い熱サイクル能力、および通常のモジュールの5倍の負荷サイクル能力、およびより小さな浮遊インダクタンスを得ることができる。また、SKiIPシステムの低熱抵抗の特性から、より小型の放熱器を用いることができる.

Semicron SKiipシリーズのスマートパワーモジュールシステムはSKiip 2とSKiip 3の2世代製品を含み、SKiip 3はSKiip 2にAl 2 O 3基板を採用した上で、水冷モジュールにおけるAlN基板の選択を追加した。SKiIPインテリジェントパワーモジュールシステムのAC端子には、高速で強電から絶縁された電流センサが集積されており、電流検出に便利である

1700V-IGBT 4（トレンチ）-SKIIP 4
SKIIP1814GB17E4-3DL 1700V----1800A
SKIIP1814GB17E4-3DW 1700V----1800A
SKIIP2414GB17E4-4DL 1700V----2400A
SKIIP2414GB17E4-4DW 1700V----2400A
SKIIP3614GB17E4-6DL 1700V----3600A
SKIIP3614GB17E4-6DW 1700V----3600A

SKiiP3614GB12E4-6DULR

スキープ 1814 GB12E4-3DUW
スキープ 1814 GB17E4-3DUL
スキープ 1813 GB123-3DW
スキープ 1814 GB17E4-3DUW
スキープ1803 GB172-3DUW
スキープ1813 GB123-3DUFL
スキープ 1814 GB12E4-3DUL
スキープ 1813 GB123-3DUL

北京京誠宏泰科技有限公司原装正品現物供給西門康IGBTモジュールSKiiP 2414 GB12E4-4DUK312

VESTASヴェスタスCT 383 A

WOODWARDウッドワードコンバータIGBTモジュールKP-40727

1200V - IGBT 3 (トランチ) - SKiiP3
スキープ 603 GD123-3DUL V3
スキープ 603 GD123-3DUW V3
スキープ613 GD123-3DUL V3
スキープ613 GD123-3DUW V3
スキープ 1213 GB123-2DL V3
スキープ 1213 GB123-2DW V3
スキープ 1813 GB123-3DL V3
スキープ 1813 GB123-3DW V3
スキープ2413 GB123-4DL V3
スキープ 2413 GB123-4DW V3

SKIIP1013GB172-2DK0203

WOODWARDウッドワードコンバータIGBTモジュールKP-40727
1200V - IGBT 4 (トランチ) - SKiiP4

北京京誠宏泰科技有限公司はルート、流通、販売、直販及びOEMモデルを一体化した電力電子半導体販売及び電力電子業界ソリューションの産業チェーンサプライヤーである。

専門的に国内外の電力電子半導体装置、インバータ、インバータ部品、アルミニウム電解コンデンサとパワーモジュールを販売する、主にドイツInfineonの英飛凌、EUPEC優派克、

SIEMENSシーメンス、シーメンス康Semicron、IXYSアイセッツ、AEG、Vishay、danfossデンフォス、TYCOタイコ、DYNEXダニックス、Vacon偉ケン、ミツビシ三菱、

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英国シーマ、スペイン社製IGBT、IGCT、IPM、PIM、サイリスタ、GTO、GTRダーリントン、整流ブリッジ、ダイオード、電界効果モジュール、日本富士（FUJI）、北京京誠宏泰科技有限公司販売供給Siemencon IGBTモジュールIPMモジュールSKiiP 613 GD 123-3 DUW日之出（HINODE）、フランス・ローランド（FERRAZ）、英国GOULD、米国BUSMANNクイックヒューズ、KEMET，イタリアのArcotronics（AV）、イタリアのFACON、ドイツのイケギELECTRONICON、フランスのトムソンTPC、日本の日立、黒金剛NIPPON chemi-con、ニジコンニチコン、

ルビー、epcosエプコット、スウェーデンRIFA力発、英国BHC、BHC Aerovox電解容量及び米国CDE無感容量、スイスCONCEPT IGBT駆動、光結合、インバータマスターボード、駆動ボード、電源ボード、通信ボード、インタフェースボード

オペレータパネル

販売ブランド半導体パワーデバイス産業用備品部品：IGBTモジュール、単管IGBTモジュール、二重管ハーフブリッジIGBTモジュール、4ユニットHブリッジIGBTモジュール、3ユニットIGBTモジュール、6ユニット三相フルブリッジIGBTモジュール、

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