一、出力または出力異常なし

• 故障現象：パワーモジュールには出力電圧がないか、出力電圧が均等ではない。

• チェックポイント：

  • 入力電源：マルチメーターを使用して入力電圧、電流と周波数を測定し、それが設備定格範囲内（例えば三相380 V±10%）であることを確保する。電源回路の接続がしっかりしているかどうかを確認し、緩みや接触不良がないことを確認します。
  • 整流ブリッジとフィルタ容量：整流ブリッジダイオードの順方向と逆方向の抵抗値を検査し、破損（オープンまたはショートなど）しているかどうかを判断する。フィルタ容量が低下するとリップル電圧が基準値を超える（例えば＞30%）ことがあり、光結合伝送比とTL 431基準オフセットを重点的に検出する必要がある。
  • パワーモジュール自体：接続されていない場合、指針マルチメーターまたはデジタルマルチメーターでU、V、Wの3相とP、Nの2相の間の抵抗値を測定し、パワーモジュールの良否を判断する。抵抗値が異常な場合は、パワーモジュールが破損していることを示している可能性があります。

二、過熱保護

• 故障現象：パワーモジュールは過熱により保護機構を起動し、出力が中断された。

• チェックポイント：

  • 放熱システム：放熱ファンが正常に動作しているかどうかをチェックし、ファンブレードと放熱フィンのほこりをきれいにします。赤外熱イメージャを用いてパワーユニットの温度分布を測定し、フィン温度が80℃に達すると、強制的に空冷し、接合温度が150℃の閾値を超えることを防止する必要がある。
  • 放熱材：熱伝導性シリコーングリースの厚さと均一性を検査し、その厚さ≦0.1 mmを確保し、熱伝導効率を最適化する。
  • 環境要因：電力モジュールが風通しが良く、温度が適切な環境に設置され、直射日光や熱源に接近しないように確保する。

三、短絡爆発機

• 故障現象：電力モジュールは短絡により損傷し、爆発音や煙を伴う可能性がある。

• チェックポイント：

  • でんかいキャパシタンス：電解容量のESR（等価直列抵抗）値を検査し、もし基準を超えると母線電圧崩壊を起こしやすい（例えば120μF容量故障例）。
  • IGBTモジュール：R×10 KΩ段を用いてIGBTモジュールCE極間抵抗値を測定し、トリガ後の正常値は5 kΩ未満でなければならない。抵抗値が異常であれば、IGBTモジュールが損傷したことを説明することができる。
  • ほごかいろ：保護回路センサー（例えば電流相互誘導器、電圧相互誘導器）とスイッチング素子（例えばリレー）が正常に動作しているかどうかを検査する。保護回路の設定値が適切（過電流保護閾値など）であることを検証し、誤動作や漏れ動作を回避する。

四、軽負荷トリップ

• 故障現象：パワーモジュールは軽負荷または無負荷時に無断でトリップする。

• チェックポイント：

  • IGBT内部：IGBT内部マイクロクラックは大電流下で瞬時短絡を引き起こし、軽負荷トリップを引き起こす可能性がある。専門機器を使用してIGBTモジュールの内部構造を検出する必要があります。
  • くどうしんごう：オシロスコープを使用してIGBT駆動信号の波形を観察し、リンギング、オーバーシュートまたはアンダーシュート現象がないことを確保する。駆動回路の電源電圧（±12 Vなど）が安定しているかどうかを検査し、偏差が0.5 Vを超えている場合は電圧安定装置を交換する必要がある。

五、高周波干渉

• 故障現象：パワーモジュールの動作時に高周波干渉が発生し、他のデバイスの正常な動作に影響を与える。

• チェックポイント：

  • EMIインダクタンス：EMIインダクタンスが飽和しているかどうかを検査し、伝導干渉が超Class B標準20 dBを引き起こす。飽和している場合、EMIインダクタンスを交換するか、その設計を最適化する必要がある。
  • フィルタ容量：フィルタ容量の容量とESR値を検査し、高周波干渉を効果的にフィルタリングできることを確保する。
  • アースとシールド：電力モジュールの接地が良好であり、周辺機器に適切な遮蔽措置があり、高周波干渉の伝播を低減することを確保する。