ダイナミックテスタ

交渉可能更新02/04

モデル

製造者の性質: プロデューサー

製品カテゴリー

原産地

オンラインコンサルト

概要

ITC 57300は長い間有名なMosfet、IGBT、Bipolar device、Diodeなどの動的パラメータ試験機であり、抵抗性/感性スイッチ時間、スイッチ損失、ゲート電荷、Trr/Qrrゲート等価抵抗とその他の試験を試験と分析する。半導体業界には多くの顧客がいる。

製品詳細

概要（がいよう）

ITC 57300動的パラメータ試験システムホストは、MOSFTs、IGBT、Diodes、その他のBipolar devicesバイポーラデバイス（追加のバイアス電源とカスタム個性基板を追加する必要がある）などの半導体デバイスに対して非破壊性のテストを行うために異なるテストヘッドを搭載することができる。ホストは必要な各テスターとソフトウェアを含み、抵抗性/感性スイッチング時間、スイッチング損失をテストし分析するために使用され、ゲート電荷、TRR/QRRその他テスト。

各テストヘッドは設計は異なりますが、ホストに簡単かつ迅速に配置できます。各テストヘッドはあるパラメータテストのために設計されているが、その組み合わせられた個性的なボードは、異なる種類のデバイス、パッケージモデル、デバイス回路などに合わせてテストヘッドを再組み立てることができる。

機能

·試験電圧：Max1200 V直流、200 A（たんらくしけん国際科学理事会マックス：1000A）

·時間測定：Min 1ナノ秒

·リーク電流限界監視

既存のテストヘッド

ITC57210-パワーデバイスMOSFETS、PNチャネルスイッチング時間試験頭，美軍標MIL-STD-750、Method 3472.

ITC57220-パワーデバイスMOSFETS及びダイオードリバースリカバリTRR/QRRテストヘッド,美軍標MIL-STD-750、Method 3473.

ITC57230-パワーデバイスMOSFETSグリッド電荷試験ヘッド,美軍標的MIL-STD-750、Method 3471.

一、TC57240- 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ感性負荷スイッチ時間試験ヘッド,美軍標的MIL-STD-750、Method 3477.

ITC57250-短絡電流耐量試験ヘッド,美軍標的MIL-STD-750、Method 3479.

ITC57260-接合容量/ゲート等価抵抗試験ヘッド,標準 JEDEC規格JESD 24-11